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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.carlbruiners.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.carlbruiners.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.carlbruiners.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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一. 硅片的化學清洗工藝原理  硅片經過不同工序加工后,其表面已受到嚴重沾污,一般講硅片表面沾污大致可分在三類:  A. 有機雜質沾污: 可通過有機試劑的溶解作用,結合超聲波清洗技術來去除。  B. 顆粒沾污:運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒,利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。  C. 金屬離子沾污:必須采用化學的方法才能清洗其沾污,硅片表面金屬雜質沾污有兩大類:  a. 一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。  b. 另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著(尤如“電鍍”)到硅片表面。  硅拋光片的化學清洗目的就在于要去除這種沾污,一般可按下述辦法進行清洗去除沾污。  a. 使用強氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。  b. 用無害的小直徑強正離子(如H+)來替代吸附在硅片表面的金屬離子,使之溶解于清洗液中。  c. 用大量去離水進行超聲波清洗,以排除溶液中的金屬離子。  自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用,1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝,近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來,例如 :  ⑴ 美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術。  ⑵ 美國原CFM公司推出的Full-Flow systems...
發布時間: 2018 - 08 - 22
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超聲清洗的物理機制主要是超聲空化,所以要達到良好的清洗效果必須選擇適當的聲學參數和清洗劑的物理化學性質。  聲強。聲強愈高,空化愈強烈。但聲強達到一定值后,空化趨于飽和。聲強過大會產生大量氣泡增加散射衰減,同時聲強增大會增加非線性衰減,而減弱遠離聲源地方的清洗效果。  頻率。頻率越高空化閾愈高,也就是說要產生聲空化,頻率愈高,所需要的聲強愈大。例如在水中要產生空化,在400kHz時所需要的功率要比在10kHz時大10倍。一般采用的頻率范圍是20—40kHz。低頻空化強度高,適用于大清洗件表面及污物與清洗件表面結合強度高的場合,但不易穿透深孔和表面形狀復雜的部件,且噪聲大;較高頻率雖然空化強度較弱,但噪聲小,適用于較復雜表面形狀、狹縫及污物與清洗件表面結合力弱的清洗。聲場分布。穩定的混響場對清洗有利,如果清洗槽中有駐波聲場,則因聲壓分布不均勻,清洗件得不到均勻的清洗。因此,在可能的條件下,槽的幾何形狀要選擇適合于建立混合聲場的形狀。除此以外,可以采用雙頻、多頻和掃頻工作方式以避免清洗“死區”。  清洗液的溫度。溫度升高液體的表面張力系數和粘滯系數會下降,因而空化閾值下降,使空化易于產生;但由于溫升,蒸汽壓增大會降低空化強度。水的較佳溫度為60攝氏度,不同的清洗劑有不同的最佳溫度。  粘滯系數。粘滯系數大的液體難于產生空化,而且傳播損失也加大,不利于清洗。  蒸汽壓。蒸汽壓低,空化閾高...
發布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數:132
稀釋酸清洗工藝是在200mm和300mm晶圓的兩套不同的FSI ZETA?/SUP噴霧清洗系統上進行的。200mm系統如圖1所示。在PFA處理盒里,晶圓必須保持水平。200mm系統可處理4籃晶圓,每籃25片,而300mm系統可處理2籃,每籃25片。籃子放置在旋轉速度高達500rpm的PFA轉盤上。旋轉的晶圓籃放在有密封塞的氮氣凈化腔內。化學試劑,清洗水和氮氣由附在腔蓋的中心噴灑柱噴出,液體從邊上的噴灑柱噴向凈化腔的墻壁。化學試劑使用混合分管進行混合和稀釋。混合比例由工藝配方確定,并由精確的流程控制器進行嚴格控制。 使用IR發熱器來控制試劑噴進腔前的溫度。試劑流經晶圓表面的溫度由安裝在腔內的溫度計嚴格監視。這種測量法可使工藝最優化,或者在精密的刻蝕應用中,可用來控制刻蝕時間以取得所需的刻蝕成度。本文中,我們用稀釋的H2SO4, H2O2和HF混合物來去除鋁線條(M1和M2),氧化層通孔及鍵合焊盤窗口的殘留物。在所有情況下,無需進行主動的溫度控制就可以取得良好效果。化學試劑在混合后溫度達35℃, 在霧化發送進腔內的過程中降溫. 晶圓表面溫度經過3分鐘的處理,慢慢地從室溫升至25℃左右。在M1和M2的清洗中,我們也檢測了在處理晶圓前先把混合物冷卻至25℃,如下所述。表1列示出用于本操作中的噴霧時間范圍,試劑的溫度及濃度的范圍。M1金屬疊層包括一個位于Al-Cu-Si合金下的 T...
發布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數:107
藍寶石晶片的凈化包括清洗方式、清洗劑的配方、清洗設備、清洗環境和清洗工藝。清洗方式主要分為濕式清洗和干式清洗, 目前濕式清洗在藍寶石晶片表面凈化中仍處于主導地位。下面主要就藍寶石晶片的濕式清洗的清洗劑性質、清洗設備、清洗環境分別闡述。    清洗劑的性質          清洗劑的去污能力, 對濕式清洗的清洗效果有決定性的影響, 根據藍寶石晶片清洗目的和要求, 選擇適當的清洗劑是濕式清洗的首要步驟。藍寶石晶片清洗中常用的化學試劑和洗液主要有無機酸、氧化劑、絡合劑、雙氧水溶劑、有機溶劑、合成洗滌劑、電子清洗劑等七大類清洗設備     ●超聲波清洗機  超聲波清洗機是微電子工業中廣泛應用的一種清洗設備, 超聲波的清洗原理是: 在強烈的超聲波作用下(常用的超聲波頻率為20-40kHz), 清洗劑內部會產生疏部和密部, 疏部產生近乎真空的空穴, 當空穴消失的瞬間, 其附近便產生強大的局部壓力, 使分子內的化學鍵斷裂, 從而使藍寶石晶片表面的雜質解吸。當超聲波的頻率和空穴的振動頻率共振時,...
發布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數:168
1 引言       目前,半導體行業中廣泛使用的清洗方法仍是RCA(美國無線電公司)清洗法。但在向下一代65nm節點的邁進中,新結構的納米器件對于清洗設備不斷提出了新的挑戰,因而對硅片表面各種污染物的控制規定了納米微粒去除的特殊要求。根據國際半導體技術發展路線圖計劃,當半導體器件從90nm提升到65nm工藝時,必須將清洗過程中單晶硅和氧化硅的損失量從0.1nm減小到0.05nm[1]。       這就對新一代清洗設備和清洗技術提出了無損傷和抑制腐蝕的新工藝要求,所以研發新穎的、合適的硅片表面的納米微粒清洗技術勢在必行。2 傳統的硅片濕法清洗和干法清洗技術2.1 污染物雜質的分類       根據污染物產生的原因,大致可將它們分為顆粒、有機物雜質、金屬污染物三類。       (1)顆粒:主要是一些聚合物、光致抗蝕劑等。顆粒的存在會造成IC芯片短路或大大降低芯片的測試性能[2]。       (2)有機物雜質:它在硅片上以多種方式存在,如人的皮膚油脂、防銹油、潤滑油、松香、蠟等。這些物...
發布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數:114
硅片經過不同工序加工后,其表面已受到嚴重沾污,一般講硅片表面沾污大致可分在三類:       A. 有機雜質沾污: 可通過有機試劑的溶解作用,結合超聲波清洗技術來去除。         B. 顆粒沾污:運用物理的方法可采機械擦洗或超聲波清洗技術來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒,利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。          C. 金屬離子沾污:必須采用化學的方法才能清洗其沾污。        硅片表面金屬雜質沾污有兩大類:一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。 另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著(尤如“電鍍”)到硅片表面。        硅拋光片的化學清洗目的就在于要去除這種沾污,一般可按下述辦法進行清洗去除沾污。      ...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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硅片的表面受到比較嚴重的污染,這時候可以考慮使用如下幾種化學清洗方法進行清潔:       a.使用強氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。       b.用無害的小直徑強正離子(如H+)來替代吸附在硅片表面的金屬離子,使之溶解于清洗液中。       c.用大量去離水進行超聲波清洗,以排除溶液中的金屬離子。自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用,1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝,近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來,例如:       ⑴美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術。       ⑵美國原CFM公司推出的Full-Flowsystems封閉式溢流型清洗技術。       ⑶美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術(例GoldfingerMach2清洗系統)。  &#...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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摘要:研究了一種新穎的添加了表面活性劑和HF的RCA的改進工藝,并和標準RCA工藝與目前被廣泛采用的稀釋RCA工藝進行了比較后指出,改進工藝對金屬沾污和表面顆粒的有效去除能力,使0.18mm以上的顆粒能夠控制在15顆以內,金屬沾污能夠有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2)。1 引言       目前在半導體工業生產中,普遍采用的清洗工藝是改進的RCA清洗技術,多年來,人們對RCA清洗技術的清洗效果進行了深入的研究,kern證明RCA工藝可在硅片的表面形成1~1.5nm的氧化硅鈍化膜[1],okumura觀察到標準的RCA清洗對硅片表面有較嚴重的粗糙化作用[2],研究人員一直沒有放棄取代技術的研究。1994年,山東大學發明了可以與標準RCA工藝相媲美的新型清洗技術[3],采用了DGQ-1和DGQ-2新型清洗劑,近年來也被廣泛采用。本文主要討論了添加表面活性劑和HF的RCA改進清洗技術對拋光片金屬沾污和表面顆粒的影響。2 實驗方法       分別采用φ150mm,p(100),8~11Ω·cm;φ125mm,p(111),3~5Ω·cm;φ100mm,n(100),0.0012~0.0015Ω·cm;φ100mm...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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一、概述:  電子工業清洗是一個很廣的概念,包括任何與去除污染物有關的工藝,但針對不同的對象,清洗的方法有很大的區別。目前在電子工業中已廣泛應用的物理化學清洗方法,從運行方式來看,大致可分為兩種:濕法清洗和干法清洗。濕法清洗已經在電子工業生產中廣泛應用,清洗主要依靠物理和化學(溶劑)的作用,如在化學活性劑吸附、浸透、溶解、離散作用下輔以超聲波、噴淋、旋轉、沸騰、蒸氣、搖動等物理作用下去除污漬,這些方法清洗作用和應用范圍各有不同,清洗效果也有一定差別。CFC清洗在過去的清洗工藝中,從清洗效力及后續工序上都占有很重要的地位,但由于其損耗大氣臭氧層,而被限制使用。對于替代工藝,在清洗過程中,不可避免的存在需后續工序的烘干(ODS類清洗不需烘干,但污染大氣臭氧層,目前限制使用)及廢水處理,人員勞動保護方面的較高投入,特別是在電子組裝技術,精密機械制造的進一步發展,對清洗技術提出越來越高的要求。環境污染控制也使得濕法清洗的費用日益增加。相對而言,干法清洗在這些方面有較大優勢,特別是以等離子清洗技術為主的清洗技術已逐步在半導體、電子組裝、精密機械等行業開始應用。因此,有必要了解等離子清洗的機理及其應用工藝。二、等離子體清洗機理  等離子體是正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。由離子、電子、自由激進分子、光子以及中性粒子組成。是物質的第四態。  通常情況下,人們普遍認為的物質有三態:固態、液態...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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一般來說:用于清洗的超聲波,其頻率應在20KHz~80KHz之間,頻率低噪音大,換能器的體積也偏大,高頻率的超聲波通常被應用于探傷,醫療診斷和超聲波加濕。超聲波設備概述       一定頻率范圍內的超聲波作用于液體介質內可起到清洗工件的作用。這一清洗技術自問世以來,受到了各行各業的普遍關注。超聲波清洗機的運用極大地提高了工作效率和清洗精度,以往清洗死角、盲孔和難以觸及的藏污納垢之處一直使人們備感頭痛,新技術的開發和運用使這一工作變得輕而易舉。近年來,隨著電子技術的日新月異,超聲波清洗機也同我們日常生活離不開的收音機一樣,經過了幾代的演變,技術更加先進,效果更加顯著,同樣,它的價格也越來越多的被社會所接受,在各行各業中逐漸被廣泛運用。超聲波清洗設備主要由以下組件構成:    1、清洗槽:盛放待洗工件,不銹鋼制成,可安裝加熱及控溫裝置。    2、換能器(超聲波發生器):將電能轉換成機械能,壓電陶瓷換能器,頻率、功率視具體機型。    3、電源:為換能器提供所需電能,逆變電源,進口IGBT元件,安裝過流保護線路。    換能器將高頻電能轉換成機械能之后,會產生振幅極小的高頻震動并傳播到清洗槽內的溶液...
發布時間: 2016 - 03 - 23
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