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发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:无刷伺服电机去静电  氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。 更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.carlbruiners.com ,400-8768-096
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID?干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术 可单台设备或整合在湿法设备中 最佳的占地 成熟的工艺 无水迹 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.carlbruiners.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.carlbruiners.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.carlbruiners.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.carlbruiners.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.carlbruiners.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 11 - 02
全自动湿法去胶清洗机-南通华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备 设备名称南通华林科纳CSE-全自动湿法去胶清洗机设备设备概况尺寸(参考):约3500(L)*1500(W)*2000(H)(具体尺寸根据实际图纸确定)清洗件规格:一次性可装8寸晶片25pcs典型生产节拍:5~10min/篮(清洗节拍连续可调)门:不锈钢合页门+PVC视窗主题构造特点设备由于是在一个腐蚀的环境,我们设备的排风方式,台面下抽风,每套工艺清洗槽都有自动开闭的槽盖,槽盖下有单独的抽风装置。设备结构外型,整机主要由机架、工艺槽体、机械手传输系统、排风系统、电控系统、水路系统及气路系统等组成。由于工艺槽内药液腐蚀性强,设备需要做防腐处理:(1)设备机架采用钢结构骨架包塑;(2)壳体采用镜面SUS316L不锈钢焊接,制程区由耐腐蚀的SUS316L板材组合焊接而成:(3)电气区设置在设备后上部,与湿区和管路区完全隔离;(4)槽体材料选用耐相应溶液腐蚀的材料;(5)机械手探人湿区部分的零部件表面喷氟或套PFA管处理。应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.carlbruiners.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自动湿法去胶清洗机设备可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.carlbruiners.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的全自动湿法去胶清洗机设备的相关方案
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LED 芯片是一种将直接电能转化为光能的半导体器件,是现代信息产业的核心器件。随着我国科学技术的不断进步与微电子设备研制的发展,国内从事芯片设计制造企业也逐渐增长到几百家,但是他们普遍自主知识产权及自主创新设计制造水平不高。LED 芯片制造及高端  封装技术是技术密集型产业,其发展水平离不开高端工艺与硬件设备。近年来国内微电子设备产业急速扩张,而支撑其技术引领的高端设备却严重缺乏,发展瓶颈逐渐成形。目前产业高端设备依然依赖国外进口,亟需开发研制自己的高端设备。LED 封装就是在保证其芯片无损以及高光取出效率的前提下将外部引线与内部芯片电极相互连接。在整个LED 产业链当中,封装技术是产业与市场的连接纽带,而在 LED 芯片制造和高端封装过程当中去胶这一工艺过程起着非常重要的作用。1 当前面向 LED 芯片制造和封装去胶设备现状  随着科学技术水平的不断发展,集成电路技术现已主要通过凸点封装模式来大幅提升封装密度与效率。凸点封装技术包括了膜沉积、光照、去胶等多项半导体芯片制备技术。现代高端封装工艺一般面向 300 mm 晶圆、65 nm 及以下极大规模集成电路封装需求,开发凸点个数3000 以上、间距 20...
发布时间: 2017 - 02 - 09
浏览次数:280
蓝宝石晶片表面净化技术研究  随着光电子领域对氮化镓 (GaN)基发光二极管(LED)的发光性能要求不断提高 , 从而对金属有机化学气相沉积法 (MOCVD)生长 G aN 的蓝宝石 (α-A l2O3 )衬底晶片的表面质量要求越来越严, 这主要是因为蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污会严重影响 LED的质量和成品率 ,对于开盒即用 (是经清洗封装后的晶片, 从片盒里取出后即可以投入到MOCVD生长炉中直接使用而不需要额外的清洗)的 2英寸蓝宝石衬底晶片,影响 G aN 生长的临界颗粒尺寸为 0. 3μm,抛光片表面大于 0. 2 μm 的颗粒数应小于 20个 /片。在目前的 LED生产中, 仍有 50%以上的废品是由于表面污染引起的, 由于在衬底晶片生产中 , 几乎每道工序都有清洗问题, 所以蓝宝石晶片清洗的好坏对 LED 的发光性能有严重的影响 , 处理不当, 可能使全部蓝宝石晶片报废, 做不出 LED 管子来, 或者制造出来的 LED性能低劣、稳定性和可靠性很差。因此弄清楚蓝宝石晶片清洗的方法和原理 ,不管是对从事蓝宝石晶片加工还是 LED 生产的人来说都具有十分重要的工程意义。  以下主要针对蓝宝石晶片的净化原理 、净化工艺、净化效果等方面技术问题进行了研究 , 提出了能够满足 G aN 生长要求的蓝宝石晶片的净化工艺和清洗液的配方 。...
发布时间: 2017 - 01 - 19
浏览次数:212
光刻版清洗设备工艺  光刻技术是大规模集成电路制造技术和微光学、微机械技术的先导和基础,他决定了集成电路(IC)的集成度[1]。光刻版在使用过程中不可避免地会粘上灰尘、光刻胶等污染物,这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。近些年,国家将 LED照明列入为重点发展产业,LED 行业迅猛发展。LED 制造过程中,具有光刻版的使用量多,使用频繁的特点。大多生产厂家为了节省成本,主要采用接触式曝光。接触式曝光虽然可以利用成本低廉的设备达到较高的曝光精度,但是由于甩胶式涂胶方法会造成晶圆边缘胶层过厚,在接触式曝光过程中光刻版极易接触到晶圆边缘的光刻胶,导致光刻胶粘附到光刻版表面(图 1)。对于 IC 行业,因为线条更细,精度要求更高,所以光刻版的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言,其颗粒移除率(PRE)不需要达到 100%,但对于光刻版而言却并非如此,其原因是对于产品良率而言,光刻版表面颗粒的影响更大,单晶圆缺陷只影响一个缺陷,而一个光刻版却影响到每一个芯片[2,3]。由于零成像缺陷是可以实现的,工厂内生产的光刻版需要经常清洗。为了保证光刻版洁净,必须定期对光刻版进行清洗,而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。1 光刻版清洗工艺1.1 光刻胶及其他有机污染物的去除对于光刻胶及其他有机污染物,比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除...
发布时间: 2017 - 01 - 11
浏览次数:329
从半导体原材料到转化为各式各样的集成电路或者分立器件,其转化过程利用了几百种复杂程度不同的化学反应。毫无疑问,在半导体的制造工业中,需要大量的特殊材料和化学品。芯片制造首要是一种化学工艺,或者更准确地说,是一系列的化学 物理工艺过程,高达20%工艺步骤是wafer清洗和表面的处理。  近年来光电与光伏半导体工业发展迅速,相关的制程越来越复杂,线宽越来越窄(已将进入纳米级),工艺要求也越来越高,生产过程需要使用大量的化学药品,而这些化学品都具有一定危险性和腐蚀性,稍有疏忽,就会造成人员伤亡和设备的损失,所以如何将这些化学品在保证品质的前提下安全输送到制程设备并安全使用是至关重要的,同时如何将这些使用过的化学品合理地回收处理,也将是半导体产业工厂生产安全的重要问题,这些都对工厂各系统的持续无故障运行能力以及所提供的制程相关原料品质提出了更高的要求。在半导体产业化的生产中,化学液供应系统主要以中央供应系统为主,用量较少之化学液则采取人工供应方式。   中央化学液供应系统缩写为CDS(Chemical Dispense Systerm)或者简写为BCD(Bulk Chemical Distribution),它是为生产线24h不间断供应化学液的系统。一般使用CDS系统的化学液都有需求量大、危险性高的特点。 CDS系统上主要供应给以下的工艺步...
发布时间: 2017 - 01 - 10
浏览次数:447
半导体湿法清洗专家华林科纳介绍硅片清洗机的相关工艺1、硅片清洗机概述   硅片清洗机广泛应用于光伏,电子等行业硅片清洗;由于硅片在运输过程中会有所污染,表面洁净度不是很高,对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响,所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污,然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷进”,会引起外延缺陷;再去除颗粒、金属等,同时使硅片的表面钝化。  目前多采用传统的RCA清洗方法,不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等,还可以去除小颗粒等污染物。2、清洗工艺  RCA清洗法  RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺,是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后,由此得名。  RCA湿法清洗由两种不同的化学溶液组成,  SPM具有很高的金属氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属,当沾污特别严重时,难以去除干净。  DHF(HF),可以去除硅片表面的自然氧化膜,同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属,也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时,硅片...
发布时间: 2017 - 01 - 06
浏览次数:145
半导体加工中的刻蚀技术包括湿法化学刻蚀 (Wet Chemical Etching),等离子刻蚀(Plasma Etching),反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching)和离子研 磨(Ion Milling)。与其它刻蚀技术相比,湿法化学刻蚀工艺的主 要优点是成本低,对硅片上器件几乎无损害,高选 择比。缺点是各向异性差,工艺控制性(对温度敏 感)差,微颗粒控制差,化学品处理费用高,由于气 泡等因素很难使用于小的图形。 半导体工业中的湿法刻蚀工艺,主要使用酸 液去除金属、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等离子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽内批处理时硅片之间的互相污 染,洁净度好,且单片处理速度更快,对刻蚀图形的 精度控制也好于后者。 湿法刻蚀供酸管路系统的主体为主循环回 路,并有其它辅助的管路用于化学液补充或废液子刻蚀,在刻蚀速率和经济性上要高于后者,但由 于酸液刻蚀在方向性上为各向同性,在高深宽比 沟槽的刻蚀控制上也不及后者,所以湿法刻蚀多 用于线宽尺寸较大,对刻蚀图形精度要求不太高 的应用。 在单片湿法刻蚀方法与传统槽式处理方法相 比,避免了在同一槽...
发布时间: 2017 - 01 - 04
浏览次数:158
湿刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。大多数湿法刻蚀是不容易控制的各向同性刻蚀。(1) 特点:适应性强,表面均匀性好、对硅片损伤少,几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。(2) 缺点:图形刻蚀保真想过不理想,刻蚀图形的最小线难以掌控。(3) 植入广告!!该公司在这湿蚀刻方面比较优越!!!!!苏州华林科纳,成立于2008年3月,总投资4500万元;目前已形成湿法清洗系统、刻蚀系统、CDS系统、尾气处理系统的四大系列数十种型号的产品; 广泛应用于大规模集成电路电力电子器件、光电子器件、MEMS和太阳能电池等领域。 干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体,是利用等离子体和表面薄膜反应,形成挥发性物质,或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。(1) 特点:能实现各向异性刻蚀,从而保证细小图形转移后的保真性。(2) 缺点:造价高。 从所产生通道截面形状分类,刻蚀又可分为两类:各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。(1) 各向同性刻蚀:刻蚀剂从基片表面向下腐蚀的速率与在其他各方向大致相同,这种刻蚀成为各向同性刻蚀。例如含氢氟酸的溶液刻蚀玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向异性刻蚀:刻蚀剂在某一方向的刻蚀速率远大于其他方向时,就是各向异性刻蚀。例如用氢氧化钠、氢氧化钾等碱金属的氢氧化物或季铵盐刻蚀硅片时是各向异性的更多的半导体材料工艺设备相关资讯可以关注华...
发布时间: 2016 - 12 - 28
浏览次数:219
黑硅作为兴起的一种新型硅材料,以其在可见光与近红外波段有极高的光吸收率,使其对光线十分敏感 ,它的光敏感度可以达到传统硅材料的 100 ~ 500 倍。在正常情况下 ,一个光子只能产生一个电子 ,而在黑硅这种材料中 ,由于它具备光电导增益效果,可以由一个光子产生多个电子, 从而使电流增大200 ~ 300 倍 ,使其在微光探测方面的性能较一般材料有着飞跃般的进步 ,并且黑硅的制造工艺可以较容易地嵌入到目前的半导体工艺中, 使其在照相机 、夜视仪等光电探测方面有着广阔的应用前景 。 目前国际上其通用的制备方式主要有两种 :飞秒激光器刻蚀和深反应离子刻蚀(DRIE)。其中 ,飞秒激光器刻蚀是SF6 环境下, 利用飞秒激光器产生的超短脉冲激光对硅片表面进行辐照,其激光脉冲的高能在与硅片表面作用的同时, 在表面附近积聚大量能量 , 能瞬间使背景气体SF6 分解出游离的 F-离子, 并与表面汽化的 Si 原子生成易挥发的 SiF2 和 SiF4 ,使硅片表面不断被刻蚀 ,最终形成准规则排列的微米量级尖锥结构 。这样改造后的硅表面具有极高的光吸收率 , 而反应离子刻蚀(RIE)的原理是利用一定压强下的刻蚀气体在高频电场的作用下 ,通过气体辉光发电产生等离子体(其中包含了大量的分子游离基团), 通过电场加速活性基团对被刻蚀物体进行离子轰击和化学反应 ,生成挥发性气体, 反应产物在低压真...
发布时间: 2016 - 12 - 14
浏览次数:186
—华林科纳 网络部离子注入出现:随着集成电路集成度的提高,对期间源漏结深的要求,切传统的扩散已无法景尊控制杂质的分布形式以及浓度了。离子束射到固体材料以后,离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用,入射离子逐渐损失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、结构和性能发生变化,这一现象就叫做离子注入。离子束的用途:掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化等,不同的用途需要不同的离子量。 离子注入系统: 离子注入的特点:(1) 可以独立控制杂质分布和杂质浓度(2) 各向异性掺杂(3) 容易获得高浓度掺杂 离子注入与扩散的比较 离子注入的优缺点:(1) 优点:可控性好,注入温度低,工艺灵活,可以获得任意的掺杂浓度分布,结面比较平坦,均匀性和重复性好,扩大了杂质的选择范围。(2) 缺点:离子注入将在靶中产生大量晶格缺陷,难以获得很深的结深,离子注入的生产效率比扩散低系统复杂安昂贵。更多的半导体湿法腐蚀刻蚀清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 13
浏览次数:146
一、芯片清洗用超纯水设备优点     1、无需酸碱再生:在混床中树脂需要用化学药品酸碱再生,而EDI则消除了这些有害物质的处理和繁重的工作。保护了环境。    2、连续、简单的操作:在混床中由于每次再生和水质量的变化,使操作过程变得复杂,而EDI的产水过程是稳定的连续的,产水水质是恒定的,没有复杂的操作程序,操作大大简便化。  3、降低了安装的要求:EDI系统与相当处理水量的混床相比,有较不的体积,它采用积木式结构,可依据场地的高度和灵活的构造。模块化的设计,使EDI在生产工作时能方便维护。  二、芯片清洗用超纯水设备的工艺流程  1、采用离子交换方式,其流程如下:    原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→阳树脂过滤床→阴树脂过滤床→阴阳树脂混床→微孔过滤器→用水点。  2、采用两级反渗透方式,其流程如下:    原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→第一级反渗透 →PH调节→中间水箱→第二级反渗透(反渗透膜表面带正电荷)→纯化水箱→纯水泵→微孔过滤器→用水点。...
发布时间: 2016 - 12 - 12
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